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      漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      480

      导通（tōng）电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      600

      最大漏（lòu）极电流（liú）Id(on)(A)：

      7

      通道极性：

      N沟道

      封装/温度(℃)：

      TO-252-2L(DPAK)/-55~125

      描述：

      650V,600mΩ,5A,N沟道（dào）基于超（chāo）级（jí）结技术的功率MOSFET



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